Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Gericht stellte fest, dass das chinesische Unternehmen Innoscience unberechtigt patentierte GaN-Innovationen von Infineon genutzt hatte. Dieses Urteil reiht sich in eine wachsende Serie juristischer Rückschläge für Innoscience in ähnlichen Streitfällen ein.
Das Gericht hat Innoscience untersagt, die betreffenden GaN-Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem wurde das Unternehmen zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt. Bei diesen Entscheidungen handelt es sich um die dritte und vierte Niederlage für Innoscience in Verfahren, die geistiges Eigentum von Infineon betreffen.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, erklärte, die Urteile unterstreichen die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Das Unternehmen hält rund 450 GaN-Patentfamilien und festigt damit seine führende Position auf dem GaN-Markt. Sowohl deutsche als auch US-amerikanische Gerichte hatten zuvor bereits entschieden, dass Produkte von Innoscience Patente von Infineon verletzen.
GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromsysteme in verschiedenen Anwendungsbereichen. Infineon bleibt weiterhin engagiert, Halbleiterlösungen voranzutreiben, um globale Herausforderungen zu bewältigen.
Das Urteil verbietet Innoscience die weitere Produktion und den Vertrieb der umstrittenen GaN-Produkte in Deutschland. Zudem muss das Unternehmen Infineon Schadensersatz leisten. Die Entscheidungen betonen den rechtlichen Schutz der Innovationen von Infineon in der Halbleiterbranche.
